El fabricante surcoreano Samsung anunció el lanzamiento del primer módulo de memoria DRAM del mercado basado en la tecnología de proceso HKMG (High-K/Metal Gate).
Se trata de un módulo de memoria DDR5 de 512 GB que ofrece un rendimiento de hasta 7,200 megabits por segundo (Mbps), más del doble del rendimiento que brindan las DDR4.
La capacidad de 512 GB se obtiene al apilar ocho capas de chips DRAM de 16 gigabits (Gb), detalló la compañía.
El nuevo módulo está pensado para cargas de trabajo que requieren una elevada capacidad de procesamiento y de ancho de banda, como centros de datos y profesionales de inteligencia artificial (IA), aprendizaje automático (ML), análisis de datos, entre otros.
Aunque la tecnología HKMG se ha usado para los semiconductores, a medida que las memorias de DRAM se reducen, los fabricantes han debido buscar alternativas para evitar la fuga de energía.
Para desarrollar el módulo de memoria, Samsung reemplazó el aislante con material HKMG. De esta forma, logró un mayor rendimiento y redujo el consumo de energía en 13 por ciento gracias a la reducción de las fugas.
“Samsung es la única empresa de semiconductores con capacidades y la experiencia para incorporar la tecnología lógica de vanguardia HKMG en el desarrollo de productos de memoria”, afirmó Young-Soo Sohn, vicepresidente del Grupo de Planificación de memoria DRAM de Samsung Electronics.
“Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes”, aseguró.
Samsung no adelantó el precio ni fecha de un estreno global de estos módulos, que por el momento son probados con algunos clientes.
