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Samsung anuncia DRAM GDDR7 la próxima generación de memoria gráfica

Imagen utilizada con permiso del titular de los derechos de autor

Este 19 de julio, Samsung anunció que ha completado el desarrollo de la primera DRAM GDDR7 de la industria, la próxima generación de memoria gráfica que se presentará en futuras versiones de hardware de computación, vehículos y juegos.

«Nuestra DRAM GDDR7 ayudará a elevar las experiencias de los usuarios en áreas que requieren un rendimiento gráfico excepcional, como estaciones de trabajo, PC y consolas de juegos, y se espera que se expanda a futuras aplicaciones como IA, computación de alto rendimiento (HPC) y vehículos automotrices», dijo Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo del Equipo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics.

Tras el desarrollo de Samsung de la primera DRAM GDDR24 de 6 Gbps de la industria en 2022, la oferta GDDR16 de 7 gigabits (Gb) de la compañía ofrecerá la velocidad más alta de la industria hasta el momento. Las innovaciones en el diseño y empaquetado de circuitos integrados (IC) proporcionan mayor estabilidad a pesar de las operaciones de alta velocidad.

El GDDR7 de Samsung alcanza un impresionante ancho de banda de 1.5 terabytes por segundo (TBps), que es 1.4 veces mayor que el de 6.1TBps de GDDR1 y presenta una velocidad mejorada por pin de hasta 32Gbps. Las mejoras son posibles gracias al método de señalización de modulación de amplitud de pulso (PAM3) adoptado para el nuevo estándar de memoria en lugar del no retorno a cero (NRZ) de generaciones anteriores. PAM3 permite transmitir un 50% más de datos que NRZ dentro del mismo ciclo de señalización.

Significativamente, en comparación con GDDR6, el último diseño es un 20% más eficiente energéticamente con tecnología de diseño de ahorro de energía optimizada para operaciones de alta velocidad. Para aplicaciones especialmente conscientes del uso de energía, como computadoras portátiles, Samsung ofrece una opción de bajo voltaje de funcionamiento.

Para minimizar la generación de calor, se utiliza un compuesto de moldeo epoxi (EMC) con alta conductividad térmica para el material de embalaje, además de la optimización de la arquitectura IC. Estas mejoras reducen drásticamente la resistencia térmica en un 70% en comparación con GDDR6, lo que ayuda a un rendimiento estable del producto incluso en condiciones con operaciones de alta velocidad.

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