IBM y Samsung anuncian un importante avance en el diseño de semiconductores que debería reemplazar a la actual tecnología FinFET que se usa en algunos de los chips más avanzados de la actualidad.
Según la tecnológica, esto permitiría la creación de chips con una densidad de transistores mayor que la actual.
¿Cómo funciona?
De acuerdo con un artículo de The Verge, este nuevo diseño “apilaría los transistores verticalmente, lo que permitiría que la corriente fluyera hacia arriba y hacia abajo de la pila de transistores en lugar de la disposición horizontal de lado a lado que se utiliza actualmente en la mayoría de los chips”.
Tanto IBM como Samsung aseguran que estos chips podrían ofrecer una mejora del doble de rendimiento o una reducción de 85 por ciento del uso de energía si se compara con los diseños FinFET.
Una de las aplicaciones más interesantes de esta nueva estructura de semiconductores es que podría hacer que las baterías de los teléfonos celulares duren más de una semana sin cargarse.
Esto también podría resultar práctico en la minería de criptomonedas o en el cifrado de datos que requiere menos energía. También podría ayudar en el desarrollo de naves espaciales más potentes.
Por el momento esta nueva tecnología recién ha sido anunciada, por lo que se ignora cuándo Samsung e IBM podrían comenzar a desarrollar estos nuevos chips de manera masiva para luego distribuirlos.
De cualquier manera, los amantes de la tecnología ya se entusiasman con las amplias aplicaciones que podría tener esta nueva tecnología.
