Un equipo de investigadores de Samsung logró ejecutar procesos de cómputo de inteligencia artificial en una unidad de memoria MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética), un tipo de RAM no volátil que almacena datos en elementos magnéticos.
Los expertos señalan que la relevancia de su investigación es que permitiría ejecutar dos procesos de cómputo, que actualmente se realizan en unidades separadas, en una misma unidad de memoria. Esto es descrito como “cómputo en memoria”.
Para dar contexto, la computación convencional funciona más o menos de la siguiente manera: un chip se encarga del cómputo (el procesador), mientras que una unidad de memoria almacena la información requerida para los procesos de cómputo. El avance de los investigadores fusiona ambos procesos en una sola unidad RAM magnetorresistiva o MRAM.
Haciendo un paralelismo, los expertos del Instituto de Tecnología Avanzada de Samsung (SAIT) señalan que lo que lograron mimetiza el proceso de cognición humano.
“El cómputo en memoria tiene similitudes con el cerebro en el sentido de que, cerebralmente hablando, el cómputo ocurre dentro de la red de ‘memoria biológica’ o la sinapsis, los puntos donde las neuronas se tocan unas a otras”, dice el doctor Seungchul Jung, uno de los autores de la investigación de Samsung publicada en la revista científica Nature. “De hecho, aunque el cómputo que logramos en una red de MRAM por ahora tiene un propósito diferente al del cómputo cerebral, este avance podría usarse en el futuro para imitar la actividad cerebral modelando la conexión sináptica”, destacó el investigador.
Los expertos de Samsung pusieron a prueba su avance al realizar pruebas de cómputo de inteligencia artificial. En estas, su red de cómputo en memoria tuvo una precisión de 98 por ciento en la clasificación de dígitos escritos a mano y de 93 por ciento al detectar rostros en una escena.
En un comunicado, Samsung señaló que el avance será usado para diseñar la próxima generación de semiconductores de cómputo.
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